Unidad de Estado Sólido Samsung 990 EVO Plus, 1TB, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 NVMe, Lectura 7250MBs, Escritura 6300MBs, sin Disipador - MZ-V9S1T0B/AM
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$2,199.00
- $1,799.00
Disponibles: 2 piezas
El Samsung 990 EVO Plus de 1TB ofrece un rendimiento de última generación con velocidades de lectura de hasta 7250MB/s y escritura de 6300MB/s. Compatible con PCIe 4.0 x4 y PCIe 5.0 x2, garantiza eficiencia energética, confiabilidad y seguridad avanzada con encriptación AES 256-bit. Ideal para gamers, creadores y profesionales que buscan máxima velocidad y durabilidad.
Especificaciones
Ficha técnica
| Atributo | Detalle |
| Marca / Línea | Samsung 990 EVO Plus |
| SKU | MZ-V9S1T0 |
| Capacidad | 1 TB (1,000 GB) |
| Formato | M.2 2280 |
| Interfaz | PCIe 4.0 ×4 (retrocompatible 3.0 ×4); compatible PCIe 5.0 ×2 |
| Protocolo | NVMe 2.0 |
| Controlador | Samsung “in-house” |
| Tipo de NAND | V-NAND TLC (V8) |
| Caché | DRAM-less con HMB (Host Memory Buffer) |
| Tecnologías | Intelligent TurboWrite 2.0, TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection |
| Lectura secuencial | Hasta 7,150 MB/s |
| Escritura secuencial | Hasta 6,300 MB/s |
| Lectura aleatoria | Hasta 850K IOPS (4 KB) |
| Escritura aleatoria | Hasta 1,350K IOPS (4 KB) |
| Consumo activo (lect./esc.) | 4.3 W / 4.2 W (promedio) |
| Consumo en reposo | PS3 ~60 mW; PS4 (L1.2) ~5 mW |
| Temperatura de operación | 0 °C a 70 °C (recomendado flujo de aire) |
| Temperatura de almacenamiento | −40 °C a 85 °C |
| Resistencia a choque (no operando) | 1,500 G, 0.5 ms; vibración 20–2,000 Hz, 20 G |
| MTBF | 1.5 millones de horas |
| Endurance (TBW) | 600 TBW |
| Garantía | 5 años limitada |
| Dimensiones | 80.15 × 22.15 × 2.38 mm |
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